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    • WEP CVP21電化學C-V剖面濃度測量儀

      WEP CVP21電化學C-V剖面濃度測量儀 德國WEP公司的CVP21電化學C-V剖面濃度測試儀可高效、準確的測量半導體材料(結構,層)中的摻雜濃度分布。選用合適的電解液與材料接觸、腐蝕,從而得到材料的摻雜濃度分布。電容值電壓掃描和腐蝕過程由軟件全自動控制。 電化學ECV剖面濃度測試儀主要用于半導體材料的研究及開發,其原理是使用電化學電容-電壓法來測量半導體材料的摻雜濃度分布。電化學ECV(

      更新時間:2020-11-01

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    • 掃描開爾文探針

      開爾文探針(Kelvin Probe)是一種非接觸無損震蕩電容裝置,用于測量導體材料的功函數(Work Function)或半導體、絕緣表面的表面勢(Surface Potential)。材料表面的功函數通常由上層的1-3層原子或分子決定,所以開爾文探針是一種的表面分析技術。主要型號:KP020 (單點開爾文探針),SKP5050(掃描開爾文探針)。

      更新時間:2020-11-01

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    • 光學薄膜測厚儀

      光學薄膜測厚儀 薄膜表面或界面的反射光會與從基底的反射光相干涉,干涉的發生與膜厚及折光系數等有關,因此可通過計算得到薄膜的厚度。光干涉法是一種無損、且快速的光學薄膜厚度測量技術,我們的薄膜測量系統采用光干涉原

      更新時間:2020-11-01

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